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VBT1045C-M3_V01	文件：103.04 Kbytes Page：4 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO 文件：103.04 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1045C-M3_V01	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：128.9 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市金芯世纪电子有限公司	VBT1060C-E3	VISHAY/威世	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	VBT1060CE3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	23+	TO263AB	8000	只做原装现货	询价
深圳市科雨电子有限公司	VBT1060C-E3/4W	VISHAY	25+	TO-263	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	VBT1080C-E3	VISHAY/威世	2447	TO-263	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价

更多VBT1045C-M3_V01供应商更新时间2025-10-4 11:10:00