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VBM165R20S_V01

N-Channel 650 V (D-S) Super Junction MOSFET

FEATURES • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Telecommunications - Server and telecom power supplies • Lighting

文件:445.17 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBPW34FASR

2-SMD

VISHAY/威世

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更多VBM165R20S_V01供应商 更新时间2025-11-19 9:31:00