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VBE19R09S中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

VBE19R09S
厂商型号

VBE19R09S

功能描述

N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET

文件大小

553.42 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-8 15:01:00

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VBE19R09S规格书详情

FEATURES

• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

• Low input capacitance (Ciss)

• Reduced switching and conduction losses

• Ultra low gate charge (Qg)

• Avalanche energy rated (UIS)

APPLICATIONS

• Server and telecom power supplies

• Switch mode power supplies (SMPS)

• Power factor correction power supplies (PFC)

• Lighting

- High-intensity discharge (HID)

- Fluorescent ballast lighting

• Industrial

- Welding

- Induction heating

- Motor drives

- Battery chargers

- Renewable energy

- Solar (PV inverters)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
2022+
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长期供应,价格优势,全新原装,支持实单,
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