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VBE1206N_V01

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

文件:601.14 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBPW34FASR

2-SMD

VISHAY/威世

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更多VBE1206N_V01供应商 更新时间2025-12-1 14:02:00