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VBE1104N_V01

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package

文件:614.13 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBM1104N_V01

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package

文件:695.34 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBA1104N_V01

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

文件:584.39 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBPW34FASR

2-SMD

VISHAY/威世

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VBsemi(台湾微碧)
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TO-252
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VBsemi(微碧半导体)
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Vbsemi
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TO-252
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V
TO-252
22+
6000
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更多VBE1104N_V01供应商 更新时间2025-11-24 15:01:00