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VBE1101M	文件：624.89 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 150 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：624.89 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1101M	文件：614.16 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：614.16 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1101M_V01	文件：624.89 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 150 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：624.89 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1101MC	文件：600.76 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：600.76 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

更多VBE1101M供应商更新时间2026-1-20 15:01:00