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VBA3638	文件：714.29 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：714.29 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA3638	文件：723.27 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：723.27 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA3638	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Vbsemi 微碧半导体	Vbsemi
VBA3638_V01	文件：714.29 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：714.29 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA3638S	文件：760.94 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) Super Trench Power MOSFET FEATURES • Super Trench technology Power MOSFET • Excellent gate charge x Rds (on) product(FOM) APPLICATIONS • DC/DC Converter Ideal for hfigh-frequency swfitchfing and synchronous • • Very low on-resfistance Rds (on) • 100 Rg and UIS Tested 文件：760.94 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA3638S	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Vbsemi 微碧半导体	Vbsemi

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