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VB60170G-E3_V01	文件：106.07 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES TrenchMOSSchottkytechnology Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses Highefficiencyoperation MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245C 좪Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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VB60170G-E3_V01

文件：106.07 Kbytes

Page：4 Pages

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES TrenchMOSSchottkytechnology Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses Highefficiencyoperation MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245C 좪Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS

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深圳市仟禧电子有限公司	VB60170G-E3其他三极管	VISHAY/威世	22+	TO-263	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
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香港创芯邦电子有限公司	VB625899S02725FG	SIEMENS	23+	QFP	8	现货库存	询价
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更多VB60170G-E3_V01供应商更新时间2025-5-21 14:50:00

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