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VB40170C_V01	文件：107.48 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS 文件：107.48 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

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更多VB40170C_V01供应商更新时间2025-10-4 14:02:00