VB30120SG-E3SLASH8W中文资料威世数据手册PDF规格书

厂商型号	VB30120SG-E3SLASH8W
功能描述	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A
文件大小	168.27 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世
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更新时间	2025-10-13 13:34:00
人工找货	VB30120SG-E3SLASH8W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc

converters and reverse battery protection.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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