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VB30120C-E3SLASH4W中文资料威世科技数据手册PDF规格书

VB30120C-E3SLASH4W
厂商型号

VB30120C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

文件大小

168.11 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-3 20:00:00

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VB30120C-E3SLASH4W规格书详情

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode,  and reverse battery protection.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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