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VB30100C_V01	文件：102.62 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9 文件：102.62 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VB30100C_V01供应商更新时间2025-10-5 15:01:00