Trench MOS Schottky technology

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division