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VB30100C-E3SLASH8W	文件：167.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 文件：167.4 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB30100C-E3SLASH8W	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VB30100C-E3SLASH8W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00