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VB20M120C-M3	文件：92.75 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：92.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20M120C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：20A 120V TO-263 TRENCH SKY RECT	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VF20M120C-M3	文件：132.68 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：132.68 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VF20M120C-M3	文件：91.53 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：91.53 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多VB20M120C-M3供应商更新时间2025-10-7 22:30:00