Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology Gen 2 • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-2

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Schotty Barrier Diode

FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter

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ISC

无锡固电

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology Gen 2\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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肖特基二极管与整流器 20A 200V Trench Stky Rectifier

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division