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VB20200C-E3/8W分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

厂商型号 |
VB20200C-E3/8W |
参数属性 | VB20200C-E3/8W 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 |
功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
166.57 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Vishay Siliconix |
企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
中文名称 | 威世科技半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-8 9:40:00 |
人工找货 | VB20200C-E3/8W价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
VB20200C-E3/8W规格书详情
Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Low thermal resistance
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
产品属性
- 产品编号:
VB20200C-E3/8W
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
TMBS®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
10A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
TO-263AB(D²PAK)
- 描述:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
VISHAY/威世通 |
22+ |
TO263AB |
25000 |
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VISHAY/威世 |
18+ |
TO-263 |
2605 |
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8000 |
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23+ |
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50000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
90 |
原装现货假一赔十 |
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VISHAY |
20+ |
TO263 |
2631 |
进口原装现货,假一赔十 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
5250 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
TO-263 |
860000 |
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