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VB20120SG-E3SLASH8W	文件：166.5 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B 文件：166.5 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20120SG-E3SLASH8W	文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB40120C-E3Z/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 NA	VISHAY/威世上传：深圳瞄钧科技有限公司	VISHAY/威世
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

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更多VB20120SG-E3SLASH8W供应商更新时间2025-10-5 20:00:00