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VB20120C-E3SLASH4W中文资料威世科技数据手册PDF规格书

VB20120C-E3SLASH4W
厂商型号

VB20120C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

文件大小

167.06 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 15:57:00

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VB20120C-E3SLASH4W规格书详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

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