VB20100C-E3SLASH4W中文资料威世科技数据手册PDF规格书

厂商型号	VB20100C-E3SLASH4W
功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
文件大小	167.72 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世科技
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更新时间	2025-10-4 23:00:00
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Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	VB20100S-E3/4W	VISHAY(威世)	24+	TO263AB	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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深圳市诺美思科技有限公司	VB20100C-M3/4W	VISHAY		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	VB20100CM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	23+	TO263AB	8000	只做原装现货	询价
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