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VB1204M | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • 100 Rg and UIS Tested • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件:622.4 Kbytes 页数:7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch • DT-Trench Power MOSFET 文件:518.35 Kbytes 页数:6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • 100 Rg and UIS Tested APPLICATIONS • Power Supply • Lighting Systems 文件:353.65 Kbytes 页数:6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs??? Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件:140.31 Kbytes 页数:4 Pages | SUTEX | SUTEX |
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