VB10170C-E3/VB10170C-M3/VB10170CHM3中文资料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5 A数据手册Vishay规格书
VB10170C-E3/VB10170C-M3/VB10170CHM3规格书详情
特性 Features
·Trench MOS Schottky technology
·Low forward voltage drop, low power losses
·High efficiency operation
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CINCH |
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VBSEMI台湾微碧 |
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SOT-23-3 |
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INFINEON |
23+ |
SOP28 |
8000 |
只做原装现货 |
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VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
SOT-23-3 |
105000 |
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ST |
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原厂原封 |
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