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V8PM10SHM3/I	文件：106.73 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：106.73 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V8PM10SHM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V8PM10SHM3SLASHH	文件：106.73 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 4 A • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：106.73 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V8PM10SHM3SLASHI	文件：106.73 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 4 A • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：106.73 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
V8PM10SHM3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
8A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
860pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A

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