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V8PM10S_V01

High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

文件:107.37 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

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更多V8PM10S_V01供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00