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V8PA6	文件：152.93 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：152.93 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V8PA6	文件：152.28 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：152.28 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V8PA6	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 分立 Very low profile - typical height of 0.95 mm\nIdeal for automated placement\nTrench MOS Schottky technology;	Vishay 威世	Vishay
V8PA6_V01	文件：152.93 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive 文件：152.93 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V8PA6HM3SLASHI	文件：152.28 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering 文件：152.28 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V8PA6-M3SLASHI	文件：152.28 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering 文件：152.28 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V8PA6HM3/I	文件：152.28 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：152.28 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V8PA6-M3/I	文件：152.28 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：152.28 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V8PA6HM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO221BC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V8PA6-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO221BC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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