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V8P8-M3/ V8P8HM3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 4 A 分立 ·Very low profile - typical height of 1.1 mm\n·Ideal for automated placement\n·Trench MOS Schottky technology;	Vishay 威世科技	Vishay
V8PAL45HM3_A/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY DO-221AB	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：深圳市宏浩通电子科技有限公司	Vishay

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更多V8P8-M3/ V8P8HM3供应商更新时间2021-9-14 10:50:00