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零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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V8P22C-M3/H | High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | |
V8P22C-M3/H | 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-277,3-PowerDFN 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:8A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | |
HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay |
产品属性
- 产品编号:
V8P22C-M3/H
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
3.1A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 175°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-277,3-PowerDFN
- 供应商器件封装:
TO-277A(SMPC)
- 描述:
8A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay General Semiconductor - |
24+ |
TO-277,3-PowerDFN |
9350 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-277 |
98000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
TO-277A(SMPC) |
11200 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
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TO-277 |
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VISHAY/威世 |
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TO-277 |
50000 |
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