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V8P22C-M3/H

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技

V8P22C-M3/H

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-277,3-PowerDFN 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:8A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V8P22C-M3/I

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

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威世科技

产品属性

  • 产品编号:

    V8P22C-M3/H

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    3.1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 描述:

    8A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

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更多V8P22C-M3/H供应商 更新时间2024-5-2 15:00:00