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V8P10_V01	文件：105.5 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - 文件：105.5 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V8P6HM3_A/H	文件：0 bytes Page：0 Pages	vishay TO-277A	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	Vishay
V8PAL45HM3_A/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY DO-221AB	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：深圳市宏浩通电子科技有限公司	Vishay

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更多V8P10_V01供应商更新时间2025-10-8 22:58:00