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V8KM60DU-M3SLASHH	文件：135.97 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 2 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V8KM60DU-M3/I	文件：135.97 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V8KM60DU-M3SLASHI	文件：135.97 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.41VatIF=2A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多V8KM60DU-M3SLASHH供应商更新时间2025-7-29 11:09:00