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V6WM100C-M3I

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

V6WM100C-M3

DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

V6WM100C-M3

DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

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更多V6WM100C-M3I供应商 更新时间2025-7-22 15:53:00