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V6WM100C-M3I

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VishayVishay Siliconix

威世

V6WM100C-M3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.co

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多V6WM100C-M3I供应商 更新时间2025-10-11 17:21:00