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V6W60C-M3_V01	文件：90.66 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.co 文件：90.66 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多V6W60C-M3_V01供应商更新时间2025-10-4 10:59:00