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V6W60C-M3_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

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威世科技威世科技半导体

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更多V6W60C-M3_V01供应商 更新时间2025-5-3 14:50:00