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V6PW10-M3/I	文件：140.43 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V6PW10-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：6A, 100V, SLIMDPAK TRENCH SKY RE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay

V6PW10-M3/I

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：6A, 100V, SLIMDPAK TRENCH SKY RE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V6PW10-M3SLASHI

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HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.47VatIF=3A

•Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive

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产品属性

产品编号：
V6PW10-M3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
590pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
SlimDPAK
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
6A, 100V, SLIMDPAK TRENCH SKY RE

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