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V6P22C-M3SLASHI	文件：104.98 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 1.5 A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiency •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LF maximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V6P22C-M3/H	文件：104.98 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V6P22C-M3/I	文件：104.98 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V6P22C-M3SLASHH	文件：104.98 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.61VatIF=1.5A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiency •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LF maximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多V6P22C-M3SLASHI供应商更新时间2025-5-28 11:06:00