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V6KM45DU-M3SLASHH	文件：135.88 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/NHM3 文件：135.88 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V6KM45DU-M3SLASHI	文件：135.88 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/NHM3 文件：135.88 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V6KM45DU-M3/H	文件：135.88 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：135.88 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	V6P22CHM3/H	Vishay General Semiconductor -	25+	TO-277 3-PowerDFN	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	V6P22C-M3/H		24+	N/A	56000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价

更多V6KM45DU-M3SLASHH供应商更新时间2025-10-10 14:25:00