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V6KM120DUHM3SLASHH
厂商型号

V6KM120DUHM3SLASHH

功能描述

High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 1.5 A

文件大小

136.64 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 14:22:00

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V6KM120DUHM3SLASHH规格书详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay General Semiconductor -
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