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V6KM120DU-M3SLASHH	文件：136.64 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 1.5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/NHM3 文件：136.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V6KM120DU-M3SLASHI	文件：136.64 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 1.5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/NHM3 文件：136.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V6KM120DU-M3/H	文件：136.64 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：136.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V6KM120DU-M3/I	文件：136.64 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：136.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多V6KM120DU-M3SLASHH供应商更新时间2025-10-6 11:06:00