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V62SLASH24632-01XE

文件：2.26321 Mbytes

Page：49 Pages

TPS7H60x5-SP and TPS7H60x5-SEP Radiation-Hardness-Assured Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1Features •Radiationperformance: –Radiation-hardness-assurance(RHA)upto totalionizingdose(TID)of100krad(Si) –Single-eventtransient(SET),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immuneto linearenergytransfer(LET)=75MeV-cm2/mg –Single-eventtran

TI1Texas Instruments

德州仪器

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更多V62SLASH24632-01XE供应商更新时间2025-5-19 17:05:00

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