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V62SLASH24612-01XE

丝印:8351DIM;Package:TSSOP;DRV8351-SEP: 40-V Three-Phase BLDC Gate Driver

1 Features • 40V Three Phase Half-Bridge Gate driver – Drives N-Channel MOSFETs (NMOS) – Gate Driver Supply (GVDD): 5-15V – MOSFET supply (SHx) supports up to 40V • Target Radiation Performance – SEL, SEB, and SET immune up to LET = 43 MeV-cm2 /mg – SET and SEFI characterized up to LET = 4

文件:1.32812 Mbytes 页数:29 Pages

TI

德州仪器

V6309MSP3B

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更多V62SLASH24612-01XE供应商 更新时间2025-12-1 10:24:00