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V60DM45C-M3/I

Dual Low-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

文件:110.92 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

V60DM45C-M3/I

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO263AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V60DM45C-M3SLASHI

Dual Low-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 5.0 A

• Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - Automotive

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VishayVishay Siliconix

威世科技

V611480MHPSA1

Infineon Technologies
N/A

Infineon Technologies

上传:深圳市集好芯城科技有限公司

Infineon Technologies

V611480MSHPSA1

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上传:深圳市集好芯城科技有限公司

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产品属性

  • 产品编号:

    V60DM45C-M3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    30A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型

  • 供应商器件封装:

    TO-263AC(SMPD)

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO263AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay General Semiconductor -
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更多V60DM45C-M3/I供应商 更新时间2025-9-30 15:49:00