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V60DM120C_V01	文件：123.36 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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V60DM120C_V01

文件：123.36 Kbytes

Page：5 Pages

Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -

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更多V60DM120C_V01供应商更新时间2025-5-16 14:59:00

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