V60D100C-M3/V60D100CHM3中文资料Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号

V60D100C-M3/V60D100CHM3

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-27 11:27:00

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V60D100C-M3/V60D100CHM3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

V60D100C-M3/V60D100CHM3规格书详情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Very low profile - typical height of 1.7 mm
Ideal for automated placement

应用 Application

oFor use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection in commercial, inductrial, and automotive application.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay General Semiconductor -
25+
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 凸片
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