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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.456VatIF=10A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.36VatIF=5A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
TrenchMOSSchottkytechnology | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHighVoltageTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHighVoltageTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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