V50100PW中文资料Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V50100PW |
| 参数属性 | V50100PW 封装/外壳为TO-3P-3 整包；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3PW |
| 功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | V50100PW价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V50100PW规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
·Trench MOS Schottky technology
·Low forward voltage drop, low power losses
·High efficiency operation
技术参数
- 产品编号：
V50100PW-M3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
TMBS®
- 包装：
散装
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
25A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-3PW
- 描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3PW
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3261 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
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询价 | |||
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
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HONEYWELL |
23+ |
11200 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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VISHAY |
2018+ |
26976 |
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询价 | |||
Infineon |
24+ |
E-EUPEC-0 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
INF |
24+ |
8 |
询价 | ||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO3PW |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO3PW |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
