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V40PWM10C	文件：142.75 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V40PWM10C

文件：142.75 Kbytes

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HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A

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