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V40DM45C_V01	文件：111.5 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：111.5 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多V40DM45C_V01供应商更新时间2025-9-30 15:49:00