Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

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肖特基二极管与整流器 40 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS

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Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 150V TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220

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