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V40120CI-M3/P

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:135.92 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

V40120CI-M3/P

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:40A 120V TRENCH SKY RECT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V40120CI-M3SLASHP

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

产品属性

  • 产品编号:

    V40120CI-M3/P

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    40A 120V TRENCH SKY RECT

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更多V40120CI-M3/P供应商 更新时间2025-12-16 11:00:00