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V40100CI-M3SLASHP	文件：136.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：136.08 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多V40100CI-M3SLASHP供应商更新时间2026-9-22 15:37:00