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V35PWM12_V01	文件：121.02 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.3 mm • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - 文件：121.02 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V3S	文件：0 bytes Page：0 Pages	全志/ALLWINNER QFP128	全志/ALLWINNER 上传：深圳市柯尔基电子有限公司	全志/ALLWINNER

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更多V35PWM12_V01供应商更新时间2025-10-5 14:16:00