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V30M120C_V01	文件：150.92 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：150.92 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VB30M120C_V01	文件：105.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO 文件：105.9 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V3S	文件：0 bytes Page：0 Pages	全志/ALLWINNER QFP128	全志/ALLWINNER 上传：深圳市柯尔基电子有限公司	全志/ALLWINNER

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更多V30M120C_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00